Все разделы
| Состояние | Как новое |
| Исправен. Ранее не использовался. | |
Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор «p-n-p» малой мощности средней частоты. Предназначен для использования в усилительных и импульсных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускается в металлостеклянном корпусе ТО18 (КТ-1-7) с гибкими выводами.
Электрические характеристики
Структура - p-n-p
Максимально допустимое напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер
«А» – 60 В; «Б» - 30 В; «В» - 15 В
Максимально допустимое напряжение база-эмиттер
«А» – 30 В; «Б» - 15 В; «В» - 10 В
Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора – 10 (50) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора – 0,15 Вт
Зарубежные аналоги – OC203, BSZ12.
Цена указана за ед.
* Доставку оплачивает покупатель
** Покупая несколько моих лотов Вы экономите на пересылке!
|
|
Похожие лоты
