Состояние | Отличное |
Кремниевый планарно-эпитаксиальный транзистор малой мощности высокой частоты "p-n-p". Область применения: импульсные усилители и переключающие устройства.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г
Электрические характеристики
Максимально допустимое напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер - 60 В
Максимально допустимое напряжение база-эмиттер - 4 В
Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора - 200 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора - 0,21 Вт
Доставку оплачивает покупатель.
|
|
Похожие лоты
Вход
Регистрация
Восстановление пароля
Восстановление пароля