Все разделы
| Состояние | Хорошее |
| Автор | Стильбанс |
| Издательство | Москва |
| Год издания | 1967 |
| Переплет | Твердый переплет |
При не выкупе лота ставится отрицательный отзыв. Пожалуйста, будьте ответственны при ставках. Если Вы в чём-то не уверены - не спешите покупать. Пожалуйста, выясняйте интересующие Вас вопросы до момента покупки.
Телефон указан в контактных данных.
Смотрите, пожалуйста, другие мои лоты! Покупая несколько лотов продавца, Вы экономите на доставке.
Лоты доставляются одним отправлением.
Югозапад. Европочта.
Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений. В первой главе эти вопросы рассмотрены в качественной форме, а в последующих дается количественный анализ, но при этом везде делается упор на физическую сущность явлений, необходимые для понимания этого материала сведения из теоретической физики (квантовой механики, статистики и термодинамики) приводятся в тексте попутно с основным материалом. Вторая глава посвящена описанию основных свойств кристаллов: симметрии, характера химической связи, дефектов, тепловых колебаний и теплоемкости. В третьей главе дается представление об электронной теории кристаллов (предпосылки введения адиабатического и одноэлектронного приближения, методы анализа и особенности зонной структуры полупроводников). Статистике электронов в полупроводниках посвящена четвертая глава, в которой также приведены некоторые положения термодинамики. В пятой, шестой и седьмой главах излагаются основы теории явлений переноса (анализ кинетического уравнения, электро- и теплопроводности полупроводников, термоэлектрических, гальвано- и термомагнитных явлений). Восьмая глава посвящена теориям выпрямления на контакте металл - полупроводник и р-п переходе, и девятая - оптическим явлениям (поглощению света, фотопроводимости, фотовольтаическим эффектам и стимулированному излучению).
|
|
Похожие лоты
