Все разделы
| Состояние | Хорошее |
Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора SU169
Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 100 W
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): V
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 400 V
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): V
Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 10 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): C
Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 10
Корпус: TO3
|
|
Похожие лоты
Вход
Регистрация
Восстановление пароля
Восстановление пароля
